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ID 188667 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos CEBRASPE 2025

No que se refere aos tiristores SCR e TRIAC, assinale a opção correta.

A Assim como o diodo, o SCR consiste em duas camadas de material semicondutor, uma do tipo P e uma do tipo N.

B O SCR e o TRIAC são dispositivos que funcionam de forma semelhante a uma chave, ou seja, operam sob dois estados, impedindo ou permitindo o fluxo de energia.

C A faixa de frequência de operação do SCR e do TRIAC é semelhante à obtida em transistores de potência TBJ e MOSFETs.

D Enquanto o SCR é capaz de conduzir corrente em ambos os sentidos, o TRIAC é capaz de conduzir corrente em um único sentido.

E O TRIAC é construído colocando-se três tiristores SCR em série.

ID 187627 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos CEBRASPE 2025

Texto associado

No que se refere a amplificadores, julgue os itens a seguir.

A tensão de offset de um amplificador diferencial ideal é nula.

C Certo

E Errado

ID 178717 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos FCC 2025

Texto associado

Atenção : Considere as informações a seguir para responder às questões de números 58 e 59.

Considere o circuito de uma interface de potência a transistor Darlington e que será usada para acionar uma carga resistiva por meio de um sinal digital.

O parâmetro do transistor, obtido em seu datasheet, que corresponde ao ganho direto de corrente CC na configuração emissor comum é

A I CBO

B h je

C h FE

D I Csat

E f T

ID 177899 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos FCC 2025

Texto associado

A tensão Vbe que leva o transistor à condição de saturação para poder acionar a carga resistiva vale, aproximadamente,

A 3,6 V.

B 0, 2 V.

C 4,3 V.

D 0,6 V.

E 1,4 V.

ID 163232 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos AOCP 2025

Para compatibilizar sinais de variáveis em processos automatizados, é comum a utilização de elementos transdutores, que podem ser utilizados diretamente com sensores e controladores. Referente aos transdutores, é correto afirmar que

A transdutores piezoelétricos são aqueles que utilizam materiais com propriedades piezoelétricas, que, por sua vez, geram um sinal elétrico quando submetidos a um campo elétrico.

B em um transdutor de força capacitivo, a capacitância é diretamente proporcional à distância entre as placas do capacitor.

C transdutores ultrassônicos não podem ser utilizados tanto como emissores quanto como receptores.

D elementos de PZT flexíveis não se aplicam na geração de som audível.

E os LVDTs são utilizados na medição de deslocamentos em estruturas, sistemas e tubulações que vibram à baixa frequência e com grande amplitude.

ID 163229 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos AOCP 2025

O ganho de um transistor foi fixado para operação com β cc = 200. Considerando que a corrente no coletor do transistor é de 100 mA, assinale a alternativa que apresenta a corrente na base do transistor.

A 5.10 -3 A.

B 250.10 -6 A.

C 500.10 -6 A.

D 33.10 -9 A.

E 52.10 -3 A.

ID 161912 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos AOCP 2025

Um circuito amplificador inversor com amplificador operacional em realimentação negativa recebe sinal de entrada de 10 mV e tem os resistores R1 e Rf com os valores de 1 kΩ e 200 kΩ, respectivamente. R1 é o resistor que recebe o sinal de entrada e conecta-se à entrada inversora, enquanto R f é o resistor de feedback. Dessa forma, o valor da tensão na saída do amplificador é de

A 20 V.

B 5 V.

C 1,2 V.

D -2,0 V.

E -20 V.

ID 189531 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos CEBRASPE 2024

Em circuitos de potência, transistores MOSFET

I têm maior eficiência e velocidade de comutação em comparação com BJTs.
II requerem maior tensão de gate para operar.
III são mais suscetíveis a ruídos do que BJTs.

Assinale a opção correta.

A Apenas o item I está certo.

B Apenas o item II está certo.

C Apenas o item III está certo.

D Apenas os itens I e II estão certos.

E Todos os itens estão certos.

ID 160857 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos AOCP 2024

No estágio de saída de um amplificador classe B, é possível observar um par complementar de transistores que estão associados de modo a não possibilitar que entrem em condução simultaneamente. Considerando-se o amplificador classe B, alimentado por fonte simétrica, assinale a alternativa correta.

A Os transistores do estágio classe B conduzem corrente não nula mesmo sem a presença de sinal em sua entrada.

B Quando a tensão na entrada for igual a zero, os dois transistores estarão em corte e a tensão na saída será nula.

C O efeito de distorção de cruzamento será mais pronunciado quando a amplitude do sinal de entrada for maior.

D O cálculo do rendimento da conversão de potência é diretamente proporcional à distorção de cruzamento.

E A saturação dos transistores em classe B não acarreta alterações na forma de onda do sinal.

ID 160851 Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos AOCP 2024

Um engenheiro eletrônico, ao dimensionar os transistores do amplificador classe AB, depara-se com a especificação de dissipação máxima de 5 W em condições de temperatura ambiente de 25 °C. Considerando-se a temperatura máxima da junção de 150 °C, assinale a alternativa que apresenta o valor correto para a resistência térmica ( θ Jmáx ), a potência máxima que pode ser dissipada para temperatura de 45 °C ( P Dmáx ) e o valor da temperatura da junção do transistor operando com potência de 1,5 W sob temperatura ambiente de 25 °C (T J ), respectivamente.

A θ Jmáx = 55,3 ºC/W; P Dmáx = 18,3 W e T J = 85,3 °C.

B θ Jmáx = 25 ºC/W; P Dmáx = 4,2 W e T J = 62,5 °C.

C θ Jmáx = 32 ºC/W; P Dmáx = 6,5 W e T J = 78,5 °C.

D θ Jmáx = 56 ºC/W; P Dmáx = 9,3 W e T J = 87,7 °C.

E θ Jmáx = 12 ºC/W; P Dmáx = 1,2 W e T J = 44,8 °C