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ID 188808 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2025

Texto associado

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

A resistividade ( ρ ) de um material, em função da variação de temperatura (ΔT) à qual ele está submetido, pode ser calculada por p = p o . [ 1 + a . Δ T ] , em que a constante α é a resistividade do material para uma temperatura de referência.

C Certo

E Errado

ID 188771 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2025

Conforme a definição de magnetostrição, em um material ferromagnético sujeito a um campo magnético, é possível que varie

A a temperatura.

B a cor.

C o estado, de sólido para gasoso.

D o estado, de gasoso para sólido.

E a forma ou a dimensão.

ID 188735 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2025

Texto associado

No que tange à eletrônica básica, julgue os itens a seguir.

Em um capacitor ideal, após o carregamento inicial, a corrente contínua pode circular incessantemente, mesmo com tensão constante.

C Certo

E Errado

ID 187404 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2025

Texto associado

Em relação a ciências dos materiais, julgue os itens a seguir.

O fator de perda dielétrica é dado por k − s e n ( δ ) , em que k é a constante dielétrica do material, e δ é o ângulo de perda dielétrica.

C Certo

E Errado

ID 191027 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Em filmes de metais ferromagnéticos separados por metais não magnéticos, o eixo de fácil magnetização está

A a 30° em relação à normal ao plano do filme.

B a 45° em relação à normal ao plano do filme.

C a 60° em relação à normal ao plano do filme.

D perpendicular ao plano do filme.

E paralelo ao plano do filme.

ID 191008 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Acerca da técnica de deposição química por vapor, assinale a opção correta.

A É inviável a utilização dessa técnica com filmes de óxido de silício.

B A deposição química por vapor é um método de crescimento escalonável para a síntese de filmes finos.

C Uma baixa razão de velocidade, em moléculas por segundo, implica uma espessura pouco controlada.

D A velocidade de reação da superfície depende da pressão.

E A referida técnica é ineficiente para a produção de dispositivos para aplicações em optoeletrônica.

ID 190206 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Texto associado

Julgue o próximo item, a respeito das propriedades de materiais condutores e isolantes.

Materiais condutores possuem elétrons livres em sua estrutura atômica, o que facilita a passagem da corrente elétrica; materiais isolantes têm banda de valência completamente preenchida e larga banda proibida, o que impede a movimentação livre de elétrons, dificultando a condução de corrente elétrica.

C Certo

E Errado

ID 190117 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Texto associado

A seguir, é apresentada a curva característica corrente de curto-circuito (kA) versus seção do condutor (mm 2 ) versus quantidade de ciclos do sinal (frequência do sinal em ciclos por segundo) para um condutor elétrico de cobre com isolamento em PVC (policloreto de vinila).

Com base na curva apresentada e considerando um sistema elétrico com tensão nominal de neutro de 12 kV, julgue os seguintes itens.

Para o sistema operando em 4 ciclos por segundo, com seção de condutor de 10 mm 2 , a resistência de aterramento é igual a 12 Ω .

C Certo

E Errado

ID 189715 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Considerando conceitos referentes à resistência dos materiais, assinale a opção correta.

A A deformação de uma barra é calculada por τ = A P m e ˊ d i o é, em que é a deformação, em kPA, P é o valor médio da carga aplicada na superfície da barra e A é a área da superfície da barra.

B Em um projeto de estruturas, a escolha de um coeficiente de segurança muito grande pode levar a estruturas com uma possibilidade de falha desnecessariamente alta.

C A tensão de cisalhamento em uma barra é calculada por σ = A P , em que σ é a tensão de cisalhamento, P é o valor da carga aplicada na secção transversal da barra e A é a área da seção transversal da barra.

D A tensão de esmagamento em uma conexão entre uma placa e um parafuso é calculada por σ e = t . d P , em que P é a carga feita pelo parafuso na placa, t é a espessura da placa e d é o diâmetro do parafuso.

E A carga que um elemento estrutural ou um membro de máquina poderá suportar sob condições normais de utilização é chamada valor de carga-limite.

ID 189671 Engenharia Elétrica e Eletrônica Materiais Elétricos CEBRASPE 2024

Texto associado

Julgue os itens que se seguem, em relação a projeto de sistemas e circuitos integrados com dispositivos de baixo consumo e alta eficiência energética e a aplicações em sistemas puramente digitais ou com sinais mistos.

A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.

C Certo

E Errado